technologie et fabrication des circuits intégrés Recherche avancée

• technologie et fabrication des circuits intégrés (148 q corrige)
  • 1
    Quelle loi décrit l’évolution exponentielle de la complexité des circuits intégrés ?→
  • 2
    Quel composé est couramment utilisé pour purifier le silicium dans l’industrie ?→
  • 3
    Quelle technique est utilisée pour obtenir un lingot de silicium monocristallin ?→
  • 4
    À la température de 0 K, comment se comporte un semi-conducteur pur ?→
  • 5
    Le dopage du silicium par des atomes trivalents permet d’obtenir quel type de matériau ?→
  • 6
    Quel élément est typiquement utilisé pour doper le silicium afin d’obtenir un matériau de type N ?→
  • 7
    Dans les procédés de fabrication, quelle température est généralement nécessaire pour permettre une diffusion notable des impuretés dans le silicium ?→
  • 8
    Quel mécanisme de diffusion implique le déplacement d’atomes d’impuretés d’un site interstitiel vers un autre ?→
  • 9
    Le gaz PH₃ utilisé dans les fours de diffusion est constitué principalement de quel élément chimique ?→
  • 10
    Quel composé liquide est fréquemment employé pour le dopage du silicium lors du procédé de diffusion ?→
  • 11
    Quelle loi physique exprime le flux d’atomes proportionnel au gradient de concentration lors de la diffusion ?→
  • 12
    Selon la deuxième loi de Fick appliquée à la diffusion dans les solides, quelle est la concentration initiale en impuretés dans le matériau avant diffusion ?→
  • 13
    Quelle opération consiste à bombarder une plaquette de silicium avec des ions afin de doper des zones spécifiques ?→
  • 14
    Après implantation ionique, quelle est la forme généralement de la distribution en profondeur des ions dans la matière ?→
  • 15
    Quelles sont les deux finalités principales du recuit thermique après l’implantation ionique ?→
  • 16
    La formation d’une couche d’oxyde sur le substrat de silicium sert-t-elle à ?→
  • 17
    Lors de l’oxydation thermique sèche du silicium, quel gaz est principalement utilisé ?→
  • 18
    Quel est le rôle du gaz neutre, tel que l’azote, dans les fours de diffusion ?→
  • 19
    Quel est l’objectif du bombardement laser effectué sur les plaquettes de silicium ?→
  • 20
    Quel procédé permet d’identifier rapidement le type (N ou P) et l’orientation des plaquettes de silicium ?→
  • 21
    Quel est le but principal du polissage chimique et nettoyage des plaquettes après découpe ?→
  • 22
    Comment varie le coefficient de diffusion D lorsqu’on augmente la température lors du dopage du silicium ?→
  • 23
    Lorsque la diffusion du dopant est limitée par la source, comment varie la concentration en surface au cours du temps ?→
  • 24
    Quelle est la solution typique de l’équation de Fick pour une redistribution de dopant dans le silicium ?→
  • 25
    Pour déterminer le profil de diffusion dans le silicium lors de la diffusion en tube scellé, quels paramètres sont essentiels à connaître ?→
  • 26
    Quel est le but principal du marquage laser sur les plaquettes de silicium pendant le processus de fabrication ?→
  • 27
    L’oxyde de silicium (SiO₂) sert dans les circuits intégrés (CI) principalement pour ?→
  • 28
    Lors de la croissance du cristal de silicium, pourquoi utilise-t-on un support tournant pour le germe ?→
  • 29
    Quel est l’impact principal de la dégradation thermique sur la qualité du silicium lors du recuit ?→
  • 30
    Qui sont les inventeurs du premier transistor à pointe ?→
  • 31
    Quelle définition décrit le mieux la microélectronique ?→
  • 32
    Selon la loi de Moore, que se passe-t-il typiquement avec la complexité des circuits intégrés ?→
  • 33
    Quel est le principal matériau utilisé pour la fabrication de substrats en microélectronique ?→
  • 34
    Quelle méthode est généralement utilisée pour purifier le silicium à un degré électronique ?→
  • 35
    Quel est le but principal de la méthode Czochralski ?→
  • 36
    Après la croissance du lingot de silicium, que se passe-t-il ensuite ?→
  • 37
    Qu’est-ce qu’un semi-conducteur ?→
  • 38
    Comment obtient-on un semi-conducteur de type P ?→
  • 39
    Dans un matériau de type N, qui sont les porteurs majoritaires ?→
  • 40
    Quel mécanisme permet la diffusion d’atomes dans un solide à haute température ?→
  • 41
    Lequel de ces éléments est couramment utilisé comme source gazeuse de dopants ?→
  • 42
    La première loi de Fick s’applique à quel phénomène ?→
  • 43
    Quel avantage clé offre l’implantation ionique par rapport à la diffusion classique ?→
  • 44
    Quel composé liquide est principalement utilisé pour le dopage au phosphore ?→
  • 45
    Quel est le principal rôle du recuit thermique post-implantation ?→
  • 46
    À quoi sert principalement l’oxydation thermique du silicium ?→
  • 47
    Quelle affirmation est vraie à propos de l’oxydation sèche du silicium ?→
  • 48
    Quel est le rôle de la photolithographie en microélectronique ?→
  • 49
    Pourquoi les couches minces sont-elles cruciales dans la fabrication des circuits intégrés ?→
  • 50
    Pourquoi la fabrication des circuits intégrés se déroule-t-elle en salle blanche ?→
  • 51
    Quel est l’objectif principal de la gravure lors de la fabrication des circuits intégrés ?→
  • 52
    Quelle famille de composants a tiré profit en premier de la technologie bipolaire ?→
  • 53
    Pourquoi la technologie CMOS a-t-elle remplacé la nMOS ?→
  • 54
    Quel est l'élément distinctif d’un transistor MOS (MOSFET) comparé aux transistors bipolaires ?→
  • 55
    Lors d’une diffusion à source limite, quelle est la conséquence sur la surface du dopant ?→
  • 56
    Quel effet le recuit a-t-il sur les défauts de la structure cristalline après implantation ionique ?→
  • 57
    Quel est le principal critère pour décrire la qualité d’une salle blanche ?→
  • 58
    Pourquoi le nettoyage des wafers est-il fréquemment effectué par traitements acide puis basique ?→
  • 59
    Quelle équation chimique représente la formation d’oxyde de silicium en présence d’oxygène pur ?→
  • 60
    Après implantation ionique, la répartition du dopant dans la profondeur du substrat suit généralement :→
  • 61
    Pourquoi la couche d’oxyde utilisée dans le transistor MOS doit-elle être très fine et de haute pureté ?→
  • 62
    Qu'est-ce que la microélectronique ?→
  • 63
    Qu'énonce la loi de Moore à propos des circuits intégrés ?→
  • 64
    La technologie bipolaire était caractéristique de quels composants dans les premiers circuits intégrés ?→
  • 65
    Quel est le premier microprocesseur commercial et en quelle année a-t-il été conçu ?→
  • 66
    La méthode Czochralski est utilisée pour :→
  • 67
    Quel composé est principalement utilisé pour purifier le silicium industriel ?→
  • 68
    La découpe des lingots de silicium par fil permet :→
  • 69
    Après découpe, comment élimine-t-on les impuretés des plaquettes de silicium ?→
  • 70
    Par quels éléments le silicium est-il caractérisé comme semi-conducteur ?→
  • 71
    Un semi-conducteur dopé avec des atomes trivalents devient :→
  • 72
    Pour activer la diffusion dans le réseau cristallin du silicium, il faut généralement :→
  • 73
    Quel mécanisme ne concerne PAS la diffusion atomique dans le silicium ?→
  • 74
    Quel gaz neutre est utilisé pour limiter la pollution dans le four de diffusion ?→
  • 75
    Quelle substance est fréquemment utilisée comme source liquide de dopant ?→
  • 76
    Pourquoi préfère-t-on utiliser la méthode de diffusion à partir de sources liquides et non gazeuses ?→
  • 77
    La première loi de Fick indique que le flux d’atomes est proportionnel :→
  • 78
    De quoi dépend fortement le coefficient de diffusion, D ?→
  • 79
    Si le flux entrant est supérieur au flux sortant dans un élément de volume, cela entraîne :→
  • 80
    L'implantation ionique sur une plaquette de silicium permet :→
  • 81
    Parmi les avantages de l’implantation ionique, on retrouve :→
  • 82
    Quelles sont les deux fonctions principales du recuit thermique après implantation ?→
  • 83
    La diffusion thermique des dopants dans le silicium peut se faire par :→
  • 84
    Pourquoi réalise-t-on une couche d’oxyde de silicium (SiO2) sur le substrat ?→
  • 85
    L'oxydation sèche du silicium consiste à :→
  • 86
    Pour modéliser la croissance de l’oxyde sur le silicium, on observe principalement :→
  • 87
    Pourquoi le SiO2 est-il choisi comme couche isolante entre les composants ?→
  • 88
    À 25°C, le courant dans un silicium pur est :→
  • 89
    Le silicium cristallise selon :→
  • 90
    À quoi servent les méplats d’identification sur les plaquettes de silicium ?→
  • 91
    Comment la microélectronique a-t-elle permis le développement des systèmes informatiques modernes ?→
  • 92
    Quelle est la prédiction principale de la loi de Moore concernant les circuits intégrés ?→
  • 93
    Quelle étape clé permet d’obtenir du silicium de qualité électronique à partir du quartz ?→
  • 94
    Par quel procédé le silicium industriel est-il principalement purifié ?→
  • 95
    Quel procédé est utilisé pour fabriquer des lingots de silicium monocristallin de grande taille ?→
  • 96
    Pourquoi les lingots de silicium sont-ils recuits après découpe ?→
  • 97
    À 0 °K, comment se comporte un semi-conducteur intrinsèque ?→
  • 98
    Quel type d’élément est ajouté pour obtenir un silicium de type N ?→
  • 99
    Quels sont les porteurs majoritaires dans un semi-conducteur dopé de type P ?→
  • 100
    À quelle condition la diffusion des impuretés dans le silicium en phase solide est-elle efficace ?→
  • 101
    Lequel de ces mécanismes de diffusion dans un cristal de silicium est le plus rare ?→
  • 102
    Quel gaz est couramment utilisé comme dopant pour la diffusion dans le silicium ?→
  • 103
    Selon la première loi de Fick, à quoi est proportionnel le flux de diffusion d’atomes ?→
  • 104
    La diffusion d’un dopant dans les procédés à source limitée sert principalement à :→
  • 105
    Quel est l’avantage fondamental de l’implantation ionique pour le dopage ?→
  • 106
    Après l’implantation ionique, pourquoi réalise-t-on un recuit thermique ?→
  • 107
    Laquelle des méthodes suivantes n’est pas une technique classique de diffusion thermique ?→
  • 108
    Pourquoi réalise-t-on une oxydation sur le substrat de silicium ?→
  • 109
    Quelle méthode permet d’obtenir un oxyde de silicium avec peu de défauts ?→
  • 110
    Quel principe physique relie la concentration et la pression partielle dans les procédés d’oxydation ?→
  • 111
    Lors de l’oxydation thermique du silicium, comment obtenir une couche plus épaisse ?→
  • 112
    Quels éléments sont assemblés pour produire un circuit intégré ?→
  • 113
    Qui a inventé le premier transistor à pointe ?→
  • 114
    Quelle famille de circuits logiques a été créée avec la technologie bipolaire ?→
  • 115
    Combien de transistors le premier microprocesseur Intel 4004 contenait-il ?→
  • 116
    Pourquoi la technologie NMOS fut-elle remplacée par la CMOS dans les années 1980 ?→
  • 117
    Comment identifie-t-on aisément les types de plaquettes de silicium N ou P ?→
  • 118
    Quel agent chimique est utilisé pour éliminer l’oxyde natif des plaquettes de silicium ?→
  • 119
    Après implantation ionique, comment mesure-t-on la quantité totale introduite ?→
  • 120
    Qu'appelle-t-on microélectronique ?→
  • 121
    Quelle énoncé correspond à la loi de Moore ?→
  • 122
    Qui a inventé le premier transistor à pointe ?→
  • 123
    Quelle était la technologie principale des premiers circuits intégrés ?→
  • 124
    Quelle étape est nécessaire pour obtenir du silicium de qualité électronique ?→
  • 125
    Quel est le principe de la méthode de croissance Czochralski ?→
  • 126
    Quelle opération est effectuée pour relaxer les contraintes mécaniques après la découpe des plaquettes ?→
  • 127
    Pourquoi le silicium est-il classé comme semi-conducteur ?→
  • 128
    Comment obtient-on un semi-conducteur de type N ?→
  • 129
    Quel est l'objectif principal du dopage dans les semi-conducteurs ?→
  • 130
    Dans quel état de la matière la diffusion est-elle la plus rapide à température ambiante ?→
  • 131
    Quel type de diffusion implique des déplacements d’atomes par échange de position dans le réseau ?→
  • 132
    Quel composé liquide est couramment utilisé comme source de dopant pour la diffusion dans le silicium ?→
  • 133
    À quoi fait référence le coefficient D dans la première loi de Fick pour la diffusion ?→
  • 134
    Quelle est l’allure du profil de concentration obtenu lors d'une diffusion à source limitée ?→
  • 135
    Quel est le principal avantage de l’implantation ionique par rapport à la diffusion classique ?→
  • 136
    Pourquoi effectue-t-on un recuit thermique après l’implantation ionique ?→
  • 137
    Quel est le rôle principal de la couche d'oxyde de silicium (SiO2) sur un substrat de silicium ?→
  • 138
    Comparée à l’oxydation sèche, l’oxydation humide du silicium présente principalement :→
  • 139
    La technique d’évaporation thermique permet principalement de déposer :→
  • 140
    Quel gaz est typiquement utilisé pour générer les ions nécessaires à la pulvérisation cathodique ?→
  • 141
    Quel type de résine photosensible donne une image positive du masque après développement ?→
  • 142
    Quel est le principal risque associé à la gravure humide ?→
  • 143
    La gravure sèche (RIE) fait intervenir principalement :→
  • 144
    Un avantage majeur de la gravure plasma (sèche) par rapport à la gravure humide est :→
  • 145
    Pourquoi la fabrication de microcircuits exige-t-elle une salle blanche ?→
  • 146
    Quelle pratique est obligatoire pour le personnel avant d’entrer en salle blanche ?→
  • 147
    Quelle est l’étape initiale dans la fabrication d’une diode à jonction pn ?→
  • 148
    Comment vérifie-t-on la qualité finale des plaquettes de silicium après polissage et nettoyage ?→

Exercice

💡

Astuce

Appui long sur le contenu pour voir rapidement le corrigé sans changer d'onglet !

💡 Corrigé (appui long)

❓ Question (appui long)

📊 Schéma

100%

Pincez pour zoomer • Double-cliquez pour réinitialiser • Échap pour fermer